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【发明公布】梯型标度感性分数阶忆阻器_四川大学_202311781163.3 

申请/专利权人:四川大学

申请日:2023-12-22

公开(公告)日:2024-03-26

公开(公告)号:CN117769349A

主分类号:H10N70/20

分类号:H10N70/20;H10N70/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要:本发明涉及忆阻器领域,其公开了采用梯型标度分形结构、以模拟电路形式实现的感性分忆抗。本发明方案包括:由n+1个电感和n+1个忆阻构成的n+2级并联的子电路,n为正整数;其中,第2级至第n+1级子电路构成中间级电路,中间级电路中的每一级子电路均为一个电感串联一个忆阻;且中间级电路中,相邻后一级子电路与前一级子电路中忆阻的忆阻值的比值为α,相邻后一级子电路与前一级子电路中电感的电感值的比值为β;第1级子电路为一个忆阻,忆阻值为第n+2级子电路为一个电感,电感值为β‑1Lβ1‑n;其中,为第2级子电路中的忆阻的忆阻值;L为第2级子电路中的电感的电感值。本发明适用于非线性动力学系统和神经形态系统。

主权项:1.梯型标度感性分数阶忆阻器,其特征在于,包括:由n+1个电感和n+1个忆阻构成的n+2级并联的子电路,n为正整数;其中,第2级至第n+1级子电路构成中间级电路,中间级电路中的每一级子电路均为一个电感串联一个忆阻;且中间级电路中,相邻后一级子电路与前一级子电路中忆阻的忆阻值的比值为α,0α1,相邻后一级子电路与前一级子电路中电感的电感值的比值为β,β1;第1级子电路为一个忆阻,忆阻值为1-αMφα;第n+2级子电路为一个电感,电感值为β-1Lβ1-n;其中,Mφ为第2级子电路中的忆阻的忆阻值;L为第2级子电路中的电感的电感值。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 四川大学 梯型标度感性分数阶忆阻器

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