申请/专利权人：沪士电子股份有限公司

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117769162A

主分类号：H05K3/42

分类号：H05K3/42;H05K3/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明公开了一种大镭射孔零下陷电路板的制作方法，本发明将大镭射孔进行选择性填孔的方式，将镭射孔里面填满铜并突出板面，再将突出的铜磨平，实现大镭射孔口零下陷的目的；并且在大镭射孔口零下陷的基础上，进行增层压合，下一阶镭射正常进行叠孔镭射，可实现电路板的多阶叠孔设计。

主权项：1.一种大镭射孔零下陷电路板的制作方法，其特征在于，包括：在板体表面上镭射开孔；在完成镭射的板体表面以及镭射孔内壁镀一层铜；在完成镀铜的板体表面覆盖一层干膜，并露出镭射孔；在覆盖干膜的板体的镭射孔内填满铜，并突出于镭射孔口；将填铜后的板体的干膜去除，并将镭射孔口突出的铜磨平。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 沪士电子股份有限公司 一种大镭射孔零下陷电路板的制作方法

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