申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

申请日：2021-12-17

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN114268080B

主分类号：H02H7/22

分类号：H02H7/22;H02H3/26;H02H11/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2022.04.19#实质审查的生效;2022.04.01#公开

摘要：本发明公开一种防总线漏电的M‑LVDS驱动电路，属于集成电路IO端口领域，包括次级电源和与其相连的主驱动电路，以及开关管、浮衬电路；所述次级电源包含两级电源，分别为主驱动电路供电，以精确控制开关管，并且减小开关管对电源的噪声影响；所述浮衬电路与开关管相连，减小开关管的衬偏效应，在电源掉电时有效防止总线电流倒灌至电源，提高开关管的工作效率。本发明将传统M‑LVDS驱动电路中的输入控制信号通过次级电源进行处理，可以隔离开关信号对电源的干扰。内置防电流倒灌结构，并且把传统M‑LVDS电路中PMOS开关管的衬底结构替换成二极管接法的NMOS对，降低了PMOS开关管的衬偏效应，避免了冷备份时端口信号到电源之间的潜通，防止总线漏电。

主权项：1.一种防总线漏电的M-LVDS驱动电路，其特征在于，包括次级电源和与其相连的主驱动电路，以及开关管、浮衬电路；所述次级电源包含两级电源，分别为主驱动电路供电，以精确控制开关管，并且减小开关管对电源的噪声影响；所述浮衬电路与开关管相连，减小开关管的衬偏效应，在电源掉电时有效防止总线电流倒灌至电源，提高开关管的工作效率；所述开关管包括PMOS开关管MP1、PMOS开关管MP2、PMOS开关管MP3、PMOS开关管MP4；所述主驱动电路包括两个第一驱动器和两个第二驱动器；两个第一驱动器的输入端均接入信号CTRL，一个第一驱动器输出开关控制信号D至PMOS开关管MP1的栅端，另一个第一驱动器输出开关控制信号至PMOS开关管MP2的栅端；两个第二驱动器的输入端均接入信号一个第二驱动器输出开关控制信号D至PMOS开关管MP3的栅端，另一个第二驱动器输出开关控制信号至PMOS开关管MP4的栅端；所述PMOS开关管MP1和MP3、MP2和MP4分别在控制信号D和的驱动下交替导通，负载电流从所述PMOS开关管MP1和MP2的源端流入，经过外部负载RL后从所述PMOS开关管MP3和MP4的漏端流出；所述PMOS开关管MP1～MP4衬底均连接所述浮衬电路的输出电压Vsub。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种防总线漏电的M-LVDS驱动电路

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