申请/专利权人：山东大学

申请日：2020-08-12

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN111916538B

主分类号：H01L33/12

分类号：H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/44;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2020.11.27#实质审查的生效;2020.11.10#公开

摘要：一种InGaNGaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，包括：1在蓝宝石衬底上依次生长低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaNGaN超晶格应力释放层；2生长InGaNGaN多量子阱有源区，每个InGaN阱层的生长过程如下：①680～710℃下，使三甲基铟流速由0逐渐增加至600～700sccm，生长第一子层；②温度及步骤①中最大的三甲基铟流速不变，生长第二子层；③降温20～30℃，生长第三子层；3依次生长p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层、p型InGaN欧姆接触层。本发明提高了自发辐射效率，增加了长波长辐射区域的态密度并使得辐射光向长波长方向拓展。

主权项：1.一种InGaNGaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其特征在于，所述InGaNGaN多量子阱基红光LED结构自下而上依次生长有蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaNGaN超晶格应力释放层、InGaNGaN多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层、p型InGaN欧姆接触层，所述InGaNGaN多量子阱有源区包括若干个周期的InGaNGaN多量子阱，所述InGaNGaN多量子阱包括自下而上依次生长的InGaN阱层、低温AlN保护层、GaN垒层，所述InGaN阱层包括自下而上依次生长的第一子层、第二子层、第三子层，包括步骤如下：1在所述蓝宝石衬底上依次生长所述低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、所述InGaNGaN超晶格应力释放层；2在所述InGaNGaN超晶格应力释放层上生长所述InGaNGaN多量子阱有源区，是指：在所述InGaNGaN超晶格应力释放层上生长若干个周期的InGaNGaN多量子阱，其中，在气氛为氮气的反应室内生长1个周期的InGaNGaN量子阱的过程如下：A、生长InGaN阱层，包括：①生长所述第一子层：在680～710℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铟，使三甲基铟流速逐渐增加，由0逐渐增加至600～800sccm，生长所述第一子层；②生长所述第二子层：在与步骤①相同的温度条件，以及在保持与步骤A中最大的三甲基铟流速条件下，生长所述第二子层；③生长所述第三子层：降温20～30℃，以及在保持与步骤①中最大的三甲基铟流速条件下，生长所述第三子层；B、生长低温AlN保护层：保持温度不变，关闭反应室内的三甲基镓和三甲基铟，通入三甲基铝，生长低温AlN保护层；C、生长GaN垒层；3在所述InGaNGaN多量子阱有源区上依次生长p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层、p型InGaN欧姆接触层，既得。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东大学 一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法

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