申请/专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117525233B

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/46;H01L33/44;H01L33/30;H01L33/20;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种小尺寸红光LED芯片及其制造方法。该芯片由下至上依次包括背面电极、GaAs衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、P型GaP层和透明导电薄膜层；透明导电薄膜层远离所述GaAs衬底一侧的局部表面覆盖有正面电极；P型GaP层上表面具有向下刻蚀形成的凹陷部，凹陷部中设置有用于将凹陷部填满的凸起部，且凸起部的上端面与所述P型GaP层齐平或者高出P型GaP层并嵌入所述透明导电薄膜层，凸起部包括绝缘填充层。本申请提供的LED芯片结构能够解决现有技术存在的出光亮度低、焊线挖电极、可靠性差中的至少一个技术问题。

主权项：1.一种小尺寸红光LED芯片，其特征在于，所述芯片由下至上依次包括背面电极、GaAs衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、P型GaP层和透明导电薄膜层；所述透明导电薄膜层远离所述GaAs衬底一侧的局部表面覆盖有正面电极；所述P型GaP层上表面具有向下刻蚀形成的凹陷部，所述凹陷部与所述正面电极形状相一致，且位于所述正面电极的正下方；所述凹陷部中设置有用于将所述凹陷部填满的凸起部，所述凸起部与所述凹陷部的形状相适配，且所述凸起部的上端面高出所述P型GaP层并嵌入所述透明导电薄膜层，所述凸起部包括绝缘填充层；所述凸起部还包括钝化层和高反射层，所述钝化层覆盖于所述凹陷部内壁，且所述钝化层上沿高出所述P型GaP层并向外水平延伸形成延伸边；所述高反射层设置于所述钝化层与所述绝缘填充层之间，且所述高反射层与所述透明导电薄膜和所述P型GaP层无接触；所述钝化层的材料选自二氧化硅、氮化硅和氟化镁中至少一种；所述高反射层的材料为AgTiW；所述绝缘填充层的材料为聚酰亚胺。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南昌凯迅光电股份有限公司 一种小尺寸红光LED芯片及其制造方法

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