申请/专利权人：北京交通大学

申请日：2023-12-13

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117866623A

主分类号：C09K11/62

分类号：C09K11/62;B82Y20/00;B82Y30/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供一种窄谱带绿光、红光Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶的制备方法，属于量子点合成技术领域，采用一锅法制备，将Ag源、In源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶。本发明实现了半峰宽小于40nm的光致发光光谱；通过调控In、Ga的比例，实现了窄谱带绿光至红光范围量子点的合成，发光峰位在480nm‑680nm，拓宽了窄谱带发光范围，同时也实现了窄带发射的特性；引入少量的锌前驱体，抑制了表面缺陷和内部缺陷发光，实现量子荧光产率大于40％、窄带发射的特性；简化了步骤，合成简单便捷；随反应时间增加不会产生发光性能的突变，更易于对不同批次产物的性能进行控制。

主权项：1.一种窄谱带绿光、红光Ag-In-Ga-Zn-S纳米晶的制备方法，其特征在于，包括：将Ag源、In源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag-Ga-Zn-S纳米晶；通过调控In、Ga的比例实现发光峰位的移动，调控发光峰半峰全宽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京交通大学 窄谱带绿光、红光Ag-In-Ga-Zn-S纳米晶的制备方法

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