申请/专利权人：中南大学

申请日：2023-03-21

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN116273179B

主分类号：B01J31/16

分类号：B01J31/16;B01J27/04;B01J35/39;B01J37/10;C01B3/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开

摘要：本发明公开了一种Cd配位硫间质的CdxZn1‑xS纳米晶体材料的制备方法与应用，包括如下步骤：将醋酸锌、硝酸镉和乙二胺混合，加入硫脲，得到混合液，再向混合液中通入酸性气体，进行恒压反应，反应结束后，冷却至室温，过滤、洗涤干燥，得到Cd配位硫间质的CdxZn1‑xS纳米晶体材料。本发明制得的纳米晶体材料具有高效的反应活性，能作为高效光催化产氢光催化剂。本发明首次采用通入酸性气体的方法选择性地将硫间质与CdxZn1‑xS中的Cd配位，制备方法简单可控、成本低廉、原料易得，适合于规模化生产。

主权项：1.一种Cd配位硫间质的CdxZn1-xS纳米晶体材料的制备方法，包括如下步骤：将醋酸锌、硝酸镉和乙二胺混合，加入硫脲，得到混合液，向混合液中通入酸性气体，进行恒压反应，反应结束后，冷却至室温，过滤、洗涤干燥，得到Cd配位硫间质的CdxZn1-xS纳米晶体材料；所述CdNO32与ZnCH3COO2的摩尔比为1.0～10.0:1.0；所述ZnCH3COO2与乙二胺的摩尔比为0.5～3：1000；所述CdNO32与硫脲的摩尔比为1.0:2.0～3.0；所述恒压反应的温度为90～200℃，反应时间为12～45h，压力为0.2～0.4MPa；所述酸性气体与硫脲的摩尔比为0.01～0.1：1.0。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中南大学 一种Cd配位硫间质的Cd_xZn_1-xS纳米晶体材料的制备方法与应用

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