申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2024-01-22

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117780586A

主分类号：F03H1/00

分类号：F03H1/00

优先权：["20230718 CN 2023108847458"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：一种宽通道霍尔推力器磁路结构及提高磁场强度的方法，所述磁路结构包含内磁极、内铁芯、底板、磁屏、外导磁罩、外磁极、内线圈、外线圈、下线圈、支架和向内导磁罩；外线圈的下方布置有向内导磁罩和下线圈，向内导磁罩径向垂直外导磁罩设置；多个向内导磁罩和多个下线圈交替布置在外线圈的下方，且最上部的向内导磁罩与外线圈相邻，最下部的下线圈与底板相邻，多个下线圈串联设置，磁屏的底部通过支架固定，支架固定在底板上。本发明保证了霍尔推力器磁场的大范围可调节性以及所需的特征磁场强度，同时大范围提高所能实现的放电通道宽度，利用宽通道、低面容比的特点抑制等离子体壁面损失，提高霍尔推力器的放电比冲。

主权项：1.一种宽通道霍尔推力器磁路结构，包含内磁极1、内铁芯2、底板3、磁屏4、外导磁罩5-1、外磁极6、内线圈7和外线圈8；内磁极1固定在内铁芯2上，外磁极6固定在外导磁罩5-1上，内铁芯2和外导磁罩5-1固定在底板3，内铁芯2与磁屏4之间布置有内线圈7；其特征在于：还包含下线圈9、支架10和向内导磁罩5-2；内磁极1、内铁芯2、底板3、磁屏4、外导磁罩5-1、外磁极6、内线圈7、外线圈8、向内导磁罩5-2、下线圈9和支架10均为同心的回转体，所述磁屏4的截面为U型结构，磁屏4内布置有放电通道，外线圈8的下方布置有n个向内导磁罩5-2和n个下线圈，向内导磁罩5-2径向垂直外导磁罩5-1设置；当n＝1时，下线圈9布置在底板3与向内导磁罩5-2之间，向内导磁罩5-2布置在外线圈8的下方；当n≥2时，n个向内导磁罩5-2和n个下线圈9交替布置在外线圈8的下方，且最上部的向内导磁罩5-2与外线圈8相邻，最下部的下线圈9与底板3相邻，n个下线圈9串联设置；磁屏4的外侧壁与向内导磁罩5-2的内侧壁之间具有较小间隙，磁屏4的底部通过支架10固定，支架10固定在底板3上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学 一种宽通道霍尔推力器磁路结构及提高磁场强度的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD