申请/专利权人：上海交通大学

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117854645A

主分类号：G16C60/00

分类号：G16C60/00;G06F30/23;G06F111/10;G06F113/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供了一种基于超导电路模型的磁路扩展方法和系统，包括：步骤S1：将REBCO带材的结构进行长宽高三个维度的简化，近似处理，得到REBCO带材简化结构；步骤S2：计算得到REBCO带材简化结构的自场分布；步骤S3：根据自场分布，计算得到REBCO带材在自场影响下的临界电流密度Jc分布；步骤S4：根据临界电流密度Jc分布，计算每根REBCO带材的临界电流Ic；步骤S5：将实时的临界电流Ic应用到超导电路模型，分析REBCO带材的运行特性。本发明实现了超导电路模型的磁路扩展，计算出自场下的磁场分布后，直接利用Kim公式算出临界电流密度Jc分布，得到REBCO带材的临界电流Ic，并将自场分布对REBCO带材堆叠结构的运行特性影响，加入纯电路模型中，精度与易用性提高。

主权项：1.一种基于超导电路模型的磁路扩展方法，其特征在于，包括：步骤S1：将REBCO带材的结构进行长宽高三个维度的简化，近似处理，得到REBCO带材简化结构；步骤S2：计算得到REBCO带材简化结构的自场分布；步骤S3：根据自场分布，计算得到REBCO带材在自场影响下的临界电流密度Jc分布；步骤S4：根据临界电流密度Jc分布，计算每根REBCO带材的临界电流Ic；步骤S5：将实时的临界电流Ic应用到超导电路模型，分析REBCO带材的运行特性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海交通大学 基于超导电路模型的磁路扩展方法及系统

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