申请/专利权人：深圳镓楠半导体科技有限公司

申请日：2023-11-22

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790545A

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/51;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本申请提供了具有SiGaN复合栅极钝化层的耗尽型氮化镓HEMT器件及其制备方法，包括：沟道层；用于形成在沟道层上的势垒层；用于形成在势垒层上的栅介质层；源电极和漏电极，源电极和漏电极形成在势垒层上；栅电极，栅电极形成在栅介质层上；栅介质层包括SiGaN钝化层，SiGaN钝化层由SiN和GaN组成。本申请的有益效果在于：SiGaN钝化层避免了栅介质层与势垒层的界面的氧化态和悬挂键，有效增强了器件性能与栅极寿命；SiGaN钝化层抑制了穿透位错的露头在SiH4下被刻蚀，使得后续生长的无定形SiGaN可以覆盖穿透位错的露头，阻止穿透位错继续向外延层表面延伸，同时生长的外延钝化层可以保持与势垒层很好的界面质量，以及保证本身SiGaN的高质量、高平整度。

主权项：1.一种具有SiGaN复合栅极钝化层的耗尽型氮化镓HEMT器件，其特征在于，包括：沟道层；用于形成在所述沟道层上的势垒层；用于形成在所述势垒层上的栅介质层；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极形成在所述势垒层上；栅电极，所述栅电极形成在所述栅介质层上；其中，所述栅介质层包括SiGaN钝化层，所述SiGaN钝化层由SiN和GaN组成。

全文数据：

权利要求：

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