申请/专利权人：中国科学技术大学

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117779096A

主分类号：C25B11/091

分类号：C25B11/091;C25B1/04;B82Y40/00;B82Y30/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明提供了一种Se1NiO赝金属单原子材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种Se1NiO赝金属单原子材料的制备方法，包括以下步骤：A将硫酸镍、水和过硫酸钾混合，得到溶液A；B向所述溶液A中加入氨水调节pH值，反应完全后，固液分离、洗涤和干燥，得到氢氧化镍；C分别将所述氢氧化镍和硒粉作为基体和非金属源前驱体置于管式炉中，在保护性气氛下，升温至300～350℃反应，得到Se1NiO赝金属单原子材料。本发明提供的Se1NiO赝金属单原子材料可作为OER电催化剂，突破了OER过程中吸附演化机制的理论极限过电位，并且表现出了优异的电化学稳定性。

主权项：1.一种Se1NiO赝金属单原子材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A将硫酸镍、水和过硫酸钾混合，得到溶液A；B向所述溶液A中加入氨水调节pH值，反应完全后，固液分离、洗涤和干燥，得到氢氧化镍；C分别将所述氢氧化镍和硒粉作为基体和非金属源前驱体置于管式炉中，在保护性气氛下，升温至300～350℃反应，得到Se1NiO赝金属单原子材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学技术大学 一种Se₁/NiO赝金属单原子材料及其制备方法和应用

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