申请/专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810084A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/267

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供一种NiOGaN异质沟槽型式nMOS晶体管及制备方法，制备方法包括：在n型GaN单晶衬底上形成n型轻掺杂的GaN外延层；在GaN外延层上形成非故意掺杂的p型NiO层；在p型NiO层上形成n型离子掺杂的n型NiO层；栅沟槽区域的n型NiO层、p型NiO层和部分厚度的GaN外延层形成栅沟槽，去除源沟槽区域的n型NiO层形成源沟槽；在源沟槽表面形成氧化层；在源沟槽中填充源极金属；在源极金属上制备源电极，在栅沟槽内填充栅电极，在n型GaN单晶衬底背面形成漏电极。本发明通过p型NiO层代替p型GaN层，p型NiO层在非故意掺杂的情况下，就可以具有较高的载流子浓度，避免了p型GaN层中Mg离子难激活的问题，同时p型NiO层的材料和制备价格低廉，有助于降低器件的制作成本。

主权项：1.一种NiOGaN异质沟槽型式nMOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一n型GaN单晶衬底，在所述n型GaN单晶衬底上形成n型轻掺杂的GaN外延层；在所述GaN外延层上形成非故意掺杂的p型NiO层；在所述p型NiO层上形成n型离子掺杂的n型NiO层；通过光刻-刻蚀工艺去除栅沟槽区域的所述n型NiO层、p型NiO层和部分厚度的GaN外延层以形成栅沟槽，通过光刻-刻蚀工艺去除源沟槽区域的所述n型NiO层，以在栅沟槽的邻处形成源沟槽；在所述栅沟槽、源沟槽表面和所述n型NiO层表面形成氧化层，去除所述源沟槽表面的所述氧化层以显露所述源沟槽；在所述源沟槽中填充源极金属；在所述源极金属上制备源电极，在所述栅沟槽内填充栅电极，在所述n型GaN单晶衬底背面形成漏电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东莞市中镓半导体科技有限公司 NiO/GaN异质沟槽型式nMOS晶体管及制备方法

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