申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司

申请日：2023-09-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810228A

主分类号：H01L27/092

分类号：H01L27/092;H01L21/8238

优先权：["20220930 US 17/957035"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：本公开涉及单片集成在同一半导体管芯中的沟槽栅极NMOS晶体管和沟槽栅极PMOS晶体管。一种半导体管芯包括：硅基底；沟槽栅极NMOS晶体管，被形成在所述硅基底的第一装置区中；沟槽栅极PMOS晶体管，被形成在所述硅基底的第二装置区中，并且按照电气方式连接到所述沟槽栅极NMOS晶体管；和隔离结构，被插入在所述第一装置区和所述第二装置区之间。还描述了将沟槽栅极NMOS晶体管和沟槽栅极PMOS晶体管单片集成同一半导体管芯中的方法。

主权项：1.一种半导体管芯，包括：硅基底；沟槽栅极NMOS晶体管，被形成在所述硅基底的第一装置区中；沟槽栅极PMOS晶体管，被形成在所述硅基底的第二装置区中，并且按照电气方式连接到所述沟槽栅极NMOS晶体管；和隔离结构，被插入在所述第一装置区和所述第二装置区之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 单片集成在同一半导体管芯中的沟槽栅极NMOS晶体管和沟槽栅极PMOS晶体管

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD