申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2018-07-12

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN110582845B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L21/02

优先权：["20170713 US 62/532,337"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2020.07.17#实质审查的生效;2019.12.17#公开

摘要：膜堆叠及形成膜堆叠的方法，膜堆叠包含在基板上的高k介电层、在高k介电层上的高k覆盖层、在高k覆盖层上的n金属层及在n金属层上的n金属覆盖层。n金属层具有与高k覆盖层相邻的富铝界面。

主权项：1.一种膜堆叠，包括：在基板上的高k介电层；在所述高k介电层上的高k覆盖层；n金属层，所述n金属层包括在所述高k覆盖层上的本体n金属层和与所述高k覆盖层相邻的富铝界面，所述富铝界面在所述高k覆盖层与所述高k介电层之间，其中所述n金属层包括钽、硅及铝；及在所述本体n金属层上的n金属覆盖层，其中所述铝从所述n金属层迁移通过所述高k覆盖层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 用于金属栅极的低厚度相关功函数nMOS整合

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