申请/专利权人：广州拓尔微电子有限公司

申请日：2024-02-01

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117873257A

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种超宽工作电压范围的低压差NMOS型LDO，包括第一检测模块、第一电荷泵、第二检测模块、第二电荷泵、基准电压源、误差放大器、功率管栅极驱动电路、功率管、外部反馈结构；所述第一检测模块用于检测输入电压并控制所述第一电荷泵工作；所述第二检测模块用于检测所述第一电荷泵的输出电压并控制所述第二电荷泵工作；所述基准电压源、所述误差放大器、所述功率管栅极驱动电路和所述功率管依次连接，所述误差放大器还与所述外部反馈结构连接。通过使用本发明，能够在拓宽输入电压范围的同时兼容更低的输入电压，减少高压器件的使用。本发明可广泛应用于LDO电路领域。

主权项：1.一种超宽工作电压范围的低压差NMOS型LDO，其特征在于，包括第一检测模块、第一电荷泵、第二检测模块、第二电荷泵、基准电压源、误差放大器、功率管栅极驱动电路、功率管、外部反馈结构，其中：所述第一检测模块与所述第一电荷泵连接，所述第一检测模块用于检测输入电压并控制所述第一电荷泵工作；所述第二检测模块与所述第二电荷泵连接，所述第二检测模块用于检测所述第一电荷泵的输出电压并控制所述第二电荷泵工作；所述基准电压源、所述误差放大器、所述功率管栅极驱动电路和所述功率管依次连接，所述误差放大器还与所述外部反馈结构连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州拓尔微电子有限公司 一种超宽工作电压范围的低压差NMOS型LDO

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