申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十四研究所

申请日：2020-12-10

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112511142B

主分类号：H03K17/08

分类号：H03K17/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.04.02#实质审查的生效;2021.03.16#公开

摘要：本发明公开了一种全集成N管驱动电路，包括输入转换单元和电荷泵单元，输入转换单元将TTL信号转换为两路非交叠信号，一路经过缓冲，控制NMOS管，驱动泄放通路，另一路经过电平移位，控制NMOS管，驱动电源调制端，电荷泵单元由时钟信号控制，产生周期性的自举电压，刷新自举电容的电荷，实现了在较大电压范围内对电源调制高侧NMOS管的控制，适用于连续波工作模式，相对于同样尺寸下PMOS管电源调制的工作方式，基于NMOS功率管的驱动和电平转换控制技术，提高了工作效率，内置非交叠泄放通路，抑制高侧和低侧的直接贯通，避免出现大电流烧毁芯片，扩展系统的应用范围，降低了开发成本。

主权项：1.一种全集成NMOS管驱动电路，其特征在于，包括：输入转换单元和电荷泵单元，在输入转换单元中，TTL信号经过非交叠控制器输出两路非交叠信号，一路连接电平移位器LS的输入端，一路连接PMOS管M1和NMOS管M2的共栅极；PMOS管M1和NMOS管M2的漏极通过电阻R1连接，PMOS管M1的源极连接电源VDD和二极管Z1的正极，NMOS管M2的源极接地；二极管Z1的负极作为自举电压输出端VB，连接电平移位器LS的正压供电端和反相器U1的正压供电端，通过自举电容C2连接电路输出端Vout；电平移位器LS的负压供电端和反相器U1的负压供电端连接NMOS管M3的源极和NMOS管M4的漏极，作为电路输出端Vout；电平移位器LS的输出端连接反相器U1的输入端，反相器U1的输出端连接NMOS管M3的栅极，NMOS管M3的漏极连接电源VCC；NMOS管M2的漏极连接缓冲器U2的输入端，经过电容C1接地，缓冲器U2的输出端连接NMOS管M4的的栅极，NMOS管M4的源极接地；在电荷泵单元中，与非门U3的两个输入端，一个连接PMOS管M1和NMOS管M2的共栅极，一个连接时钟信号CLK；NMOS管M7和NMOS管M8的共栅极连接与非门U3的输出端和反相器U4的输入端，NMOS管M7的源极和NMOS管M8的源极接地；NMOS管M7和PMOS管M5的共漏极连接NMOS管M6的栅极，NMOS管M6的漏极连接电路输出端Vout，NMOS管M6的源极和PMOS管M5的源极通过电容C3连接；NMOS管M8和PMOS管M9的共漏极连接NMOS管M6的源极，PMOS管M9的源极连接电源VCC，PMOS管M9和PMOS管M10和PMOS管M11的共栅极连接PMOS管M11和NMOS管M13的共漏极；NMOS管M13的源极通过电阻R3接地，NMOS管M13的栅极连接反相器U4的输出端，反相器U4的输入端连接NMOS管M12的栅极；NMOS管M12的源极接地，漏极和PMOS管M10的漏极通过电阻R2连接，PMOS管M10和PMOS管M11的共源极连接电源VCC；PMOS管M10的漏极连接PMOS管M5的栅极和二极管Z4的负极，二极管Z3和Z4的正极连接电源VDD，二极管Z3的负极连接二极管Z2的正极，二极管Z2的负极连接自举电压输出端VB；输入转换单元将TTL信号转换为两路非交叠信号，一路经过缓冲，控制NMOS管，驱动泄放通路，另一路经过电平移位，控制NMOS管，驱动电源调制端，电荷泵单元由时钟信号控制，产生周期性的自举电压，刷新自举电容的电荷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十四研究所 一种全集成NMOS管驱动电路

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