申请/专利权人：东南大学

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117779190A

主分类号：C30B29/02

分类号：C30B29/02;C30B29/64;C30B25/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种用于二维碲单晶的相工程调控方法。该方法包括以下步骤：选择拥有长梯度降温范围的管式炉，再通过两步气相沉积法CVD控制生长参数包括温度，气体流速，保温时间在单层二硫化钨WS2上生长碲单晶，其中，在第二步气相沉积中对气体流速的控制可得到所述的不同碲单晶相，实现相工程调控。利用原子簇密度和界面引导的多重控制策略，用于相和厚度控制合成α‑Te纳米片和β‑Te纳米带，得到不同相结构的二维高质量碲单晶。本发明得到的α‑Te纳米片表现出从金属到n型半导体的转变的电学特性，而β‑Te纳米带则展现出杰出的电学性能包括迁移率，电流密度，并且它们都展现出良好的空气稳定性。

主权项：1.一种用于二维碲单晶的相工程调控方法，其特征在于，利用CVD两步法制备二维碲单晶，通过控制气体流速，匹配降温过程的温度梯度，合成α-Te纳米片和β-Te纳米带，即制备出具有不同相结构的二维碲单晶；二维碲单晶生长的过程中，气体流速为50-200sccm，生长温度为310-550℃，生长时间为2-20min。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东南大学 一种用于二维碲单晶的相工程调控方法

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