申请/专利权人：ASML荷兰有限公司

申请日：2022-07-15

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117795431A

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20;G01R31/305;H01J37/28;H01L21/66

优先权：["20210812 EP 21191161.5"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：一种确定衬底的套刻测量的方法，包括：将电荷注入到衬底的电荷注入元件中；确定第一对元件的第一电容和第二对元件的第二电容；以及基于第一电容和第二电容确定电容比。套刻测量可以基于电容比来确定，电容比可以指示不平衡。

主权项：1.一种带电粒子束系统，包括：带电粒子束源，被配置为将带电粒子束投射到衬底上；以及控制器，具有电路，所述电路被配置为：使所述带电粒子束源将电荷注入到所述衬底的电荷注入元件中；确定所述衬底的第一对元件的第一电容和第二对元件的第二电容；基于所述第一电容和所述第二电容确定电容比；以及基于所述电容比确定套刻测量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASML荷兰有限公司 使用平衡电容目标的套刻测量

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