申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2022-12-16

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN115872758B

主分类号：C04B35/66

分类号：C04B35/66;C04B38/00;C04B35/573

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2023.04.18#实质审查的生效;2023.03.31#公开

摘要：本发明属于耐火材料制品制造技术领域，涉及一种BJ3DP打印的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：S1、打印粉末原料的制备；S2、配置粘结剂；S3、建立打印结构件模型；S4、碳化硅复合粉末3DP打印；S5、碳化硅成型件后处理。本发明设置合理的处理方案，实现粒径小于50μm细粉末的均匀铺展；本发明选择适用于RBSC工艺的常温快速固化粘结剂材料体系；本发明陶瓷打印件的后处理参数影响以及最终制件的表征。通过设置合理的生坯体系，搭建高效的渗硅通道，解决RBSC工艺中存在的渗硅阻塞现象。

主权项：1.一种BJ3DP打印的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、制备复合粉末体系：以质量百分比计，将碳化硅粉末、活性炭粉末、硅粉末、聚乙烯醇粉末、酚醛树脂粉末充分搅拌混合，真空干燥后，得到复合粉末体系，备用；其中，碳化硅粉末比例在复合粉末体系中占半数以上，选取粒径相同的硅粉末与活性炭粉末；活性炭粉末采用多孔活性炭；碳化硅粉末的选取为：碳化硅粉末包括120微米和40微米的两种粉末，且120微米与40微米粒径质量比为0.7：1；S2、配置粘结剂：将去离子水和无水乙醇搅拌均匀，得到粘结剂体系；S3、建立打印结构件模型：S4、打印：将S1得到的复合粉末体系和S2得到的粘结剂加入3DP打印机中，并逐层打印，得到生坯；S5、生坯后处理：最后将生坯置于高温烧结炉中进行后处理；后处理分为脱脂和烧结两个步骤，具体为：脱脂环节采用惰性气体条件，脱脂工艺参数为：升温345-400℃，保温≥60min，再升温至500-700℃，保温≥120min后随炉冷却；烧结环境为真空，真空度＜0.1MPa，起始温度50℃，最高烧结温度1600℃，分为两个阶段：在1400℃以下时，采用升温速率5℃min；在1400℃-1600℃区间，采取升温速率为2℃min，最高点保温60min；S5中，在将生坯置于高温烧结炉中之前进行预处理，具体为：清理生坯表面未粘结粉末，随后置于石墨坩埚中，在生坯底部铺设石墨纸，称取生坯质量2.3-2.7倍的硅粉，均匀洒在生坯底部和上部；S1中，复合粉末体系的具体组成为：72%碳化硅粉末、17%活性炭粉末、5%硅粉末、1%聚乙烯醇粉末、5%酚醛树脂粉末。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 一种BJ3DP打印的反应烧结碳化硅陶瓷及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD