申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2021-10-18

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN113937180B

主分类号：H01L31/068

分类号：H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/0336;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2022.02.01#实质审查的生效;2022.01.14#公开

摘要：本发明公开了一种Si基双面电池隧道结的结构及其制备方法，包括：N型Si衬底和N型AlxGa1‑xAs层；N型Si衬底的上下表面分别掺杂形成P+型Si层和N+型Si层，P+型Si层上依次形成有N+型Si隧道结层和N型Si层；N型AlxGa1‑xAs层的上下表面分别掺杂形成P+型AlxGa1‑xAs层和N+型AlxGa1‑xAs层，N+型AlxGa1‑xAs层上形成有N型Si层；N型Si衬底的N型Si层与N型AlxGa1‑xAs层的N型Si层键合连接，形成N型Si键合层；P+型AlxGa1‑xAs层和N+型Si层上分别形成减反射膜和透明导电薄膜，上下的透明导电薄膜上分别形成正面电极和背面电极。本发明通过沉积隧道结来实现AlGaAs电池与Si电池的集成，其提高了吸收系数且降低了Si片的厚度，从而降低了成本，有利于柔性太阳能电池的制备。

主权项：1.一种Si基双面电池隧道结的结构，其特征在于，包括：N型Si衬底和N型AlxGa1-xAs层；所述N型Si衬底的上下表面分别掺杂形成P+型Si层和N+型Si层，所述P+型Si层上依次形成有N+型Si隧道结层和N型Si层；所述N型AlxGa1-xAs层的上下表面分别掺杂形成P+型AlxGa1-xAs层和N+型AlxGa1-xAs层，所述N+型AlxGa1-xAs层上形成有N型Si层；所述N型Si衬底的N型Si层与所述N型AlxGa1-xAs层的N型Si层键合连接，形成N型Si键合层；所述P+型AlxGa1-xAs层和N+型Si层上分别形成减反射膜和透明导电薄膜，上下的透明导电薄膜上分别形成正面电极和背面电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一种Si基双面电池隧道结的结构及其制备方法

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