申请/专利权人：山东大学

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117470413B

主分类号：G01K17/00

分类号：G01K17/00;B81C1/00;G01K7/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开

摘要：本发明属于传感器技术领域，涉及一种薄膜型热流传感器及其制备方法，薄膜型热流传感器包括：4H‑SiC单晶衬底，其电阻率大于106Ωcm；外延层，在4H‑SiC单晶衬底上偏离c轴轴线夹角θ,0°θ45°朝向11‑20方向生长，外延层的电阻率为10‑2~10‑4Ωcm，外延层与4H‑SiC单晶衬底材质相同；设于外延层上表面的金属电极对，金属电极对的两个金属电极分别位于外延层两端部，金属电极连接金属导线；热吸收层，设于外延层上表面，位于金属电极对的两个金属电极之间，热吸收层分别与金属电极对的两个金属电极间隔设置。本发明能够在高温环境下快速测试热流。

主权项：1.一种薄膜型热流传感器，其特征在于，包括：4H-SiC单晶衬底，其电阻率大于106Ωcm；外延层，在4H-SiC单晶衬底上偏离c轴轴线夹角θ,0°θ45°朝向11-20方向生长，外延层的电阻率为10-2~10-4Ωcm，外延层与4H-SiC单晶衬底材质相同；金属电极对，设于外延层上表面，金属电极对的两个金属电极分别位于外延层的两端部，每个金属电极均连接一金属导线；热吸收层，设于外延层上表面，热吸收层位于金属电极对的两个金属电极之间，热吸收层分别与金属电极对的两个金属电极间隔设置，以在热辐照下测试热电电压时，防止热吸收层吸收的热量直接传递给金属电极，对金属电极造成损伤；在4H-SiC单晶衬底偏离c轴轴线夹角θ,0°θ45°朝向11-20方向设有与4H-SiC单晶衬底材质相同的缓冲层，以减少晶格之间的差异，降低晶体的缺陷，外延层生长在缓冲层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东大学 薄膜型热流传感器及其制备方法

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