申请/专利权人：科磊股份有限公司

申请日：2021-06-24

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN115667897B

主分类号：G01N23/2251

分类号：G01N23/2251;G01N23/2202;H01J37/28;H01J37/305;H01L21/66

优先权：["20200626 IN 202041027103","20200811 US 63/063,975","20210223 US 17/182,925"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2023.07.14#实质审查的生效;2023.01.31#公开

摘要：在半导体晶片的电子束成像期间，针对所述半导体晶片上的位点的图像帧抓取将电子束调整到低于损坏阈值的第一电子剂量nm2时间值。接着，针对所述位点的第二图像帧抓取将所述电子束调整到不同于所述第一电子剂量nm2时间值的第二电子剂量nm2时间值。所述第二电子剂量nm2时间值可高于所述损坏阈值。

主权项：1.一种方法，其包括：针对半导体晶片上的位点的图像帧抓取以低于损坏阈值的第一电子剂量值引导电子束，其中所述半导体晶片包含有机材料的层；及随后，针对所述位点的第二图像帧抓取以大于所述第一电子剂量值的第二电子剂量值引导所述电子束，其中所述第一电子剂量值和所述第二电子剂量值由各自使用剂量、接收所述电子剂量的面积以及抓取所述图像帧抓取的持续时间来确定。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 科磊股份有限公司 启用扫描电子显微镜成像，同时防止半导体制造工艺中使用的敏感层受到样本损坏

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