申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

申请日：2022-09-26

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810113A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明实施例提供了一种半导体工艺设备沉积过度的监测方法和一种半导体工艺设备，半导体设备包括工艺腔室，工艺腔室包括上穹顶、下穹顶、第一温度计、第二温度计、基座；第一温度计位于上穹顶上方，用于测量放置在基座上的晶圆的第一温度值；第二温度计位于下穹顶下方，用于测量基座的第二温度值；该方法包括：在工艺的过程中，获取第一温度计测量的第一温度值和所述第二温度计测量的第二温度值，并计算第一温度值和第二温度值的温差；若温差大于预设温度阈值，则确定温差异常。通过对温度的实时监测，实现对上穹顶沉积异常的实时监测，使用户及时发现上穹顶异常，进行及时处理，降低机台维护成本。

主权项：1.一种半导体工艺设备沉积过度的监测方法，其特征在于，所述半导体设备包括工艺腔室，所述工艺腔室包括上穹顶、下穹顶、第一温度计、第二温度计、基座；所述第一温度计位于上穹顶上方，用于测量放置在所述基座上的晶圆的第一温度值；所述第二温度计位于下穹顶下方，用于测量所述基座的第二温度值；所述方法包括：在进行化学气相沉积外延工艺的过程中，获取所述第一温度计测量的第一温度值和所述第二温度计测量的第二温度值，并计算所述第一温度值和所述第二温度值的温差；若所述温差大于预设温度阈值，则确定温差异常。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体工艺设备沉积过度的监测方法和半导体工艺设备

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