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【发明公布】选择性暴露晶面的单晶模型催化剂及其制备方法和应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202311855045.2 

申请/专利权人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请日:2023-12-29

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117802523A

主分类号:C25B11/075

分类号:C25B11/075;G01N1/28;C25B11/089;C25B11/077

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要:本申请公开了一种选择性暴露晶面的单晶模型催化剂及其制备方法和应用,制备方法包括:选择单晶基底;基于目标晶面,构建能暴露目标晶面的图形化方案;在单晶基底上制备光刻胶层,在光刻胶层上制备图形化方案的电极图形;以光刻胶为掩膜,刻蚀单晶基底,去除剩余光刻胶,得到暴露目标晶面的目标单晶模型催化剂。本申请可简单快速的定制不同晶面的暴露,无需掩模版即可实现多种晶面的精密构造,可以实现任意形状、不同数量级长度尺度上材料的微纳结构制备;获得的暴露目标晶面的目标单晶催化剂具有平整的表面和不同比例的不同晶面,可作为模型进行催化剂表面性能的研究,并探索催化剂的纳米结构与催化活性之间的构效关系。

主权项:1.一种选择性暴露晶面的单晶模型催化剂的制备方法,其特征在于,包括:基于目标单晶模型催化剂,选择单晶基底;基于目标晶面,构建能暴露所述目标晶面的图形化方案;在所述单晶基底上制备光刻胶层,在所述光刻胶层上制备所述图形化方案的电极图形;以所述光刻胶为掩膜,刻蚀所述单晶基底形成所述图形化方案的3D图形,去除剩余光刻胶,得到暴露所述目标晶面的目标单晶模型催化剂。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 选择性暴露晶面的单晶模型催化剂及其制备方法和应用

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