申请/专利权人：上海江波龙数字技术有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117809728A

主分类号：G11C29/42

分类号：G11C29/42;G11C16/26;G11C16/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请提供一种NAND闪存中优化LDPC纠错能力的方法、装置、设备、介质，应用于半导体存储技术领域，方法包括：步骤1：通过逻辑加速引擎，获取NAND闪存中的阈值电压信息；步骤2：根据阈值电压信息优化LDPC的纠错能力。利用NANDFlash主控的逻辑加速引擎，来获取NAND的本征Vth信息，用来计算最优读阈值电压，降低重读比例，提升产品的读相应速度，并且匹配LDPCSoftDecode提高读恢复流程的成功率，获取高可靠性的数据存储，来满足产品可靠性需求。

主权项：1.一种NAND闪存中优化LDPC纠错能力的方法，其特征在于，包括：步骤1：通过逻辑加速引擎，获取所述NAND闪存中的阈值电压信息；步骤2：根据所述阈值电压信息优化所述LDPC的纠错能力。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海江波龙数字技术有限公司 NAND闪存中优化LDPC纠错能力的方法、装置、设备、介质

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