申请/专利权人：晶元光电股份有限公司

申请日：2023-09-14

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810338A

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/62;H01L25/075

优先权：["20220930 US 63/412,096","20230901 US 18/241,471"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：本发明公开一种发光元件，包含：半导体叠层，包含第一半导体层、活性层及第二半导体层；第一接触电极及第二接触电极位于半导体叠层上，其中第一接触电极包含位于第一半导体层上的第一接触部，第二接触电极包含位于第二半导体层上的第二接触部；绝缘材料叠层，位于半导体叠层上，包含开口位于第二接触部上；以及第一电极垫和第二电极垫位于绝缘材料叠层上，其中第二电极垫填入开口连接第二接触部；其中，第二电极垫包含一上表面，上表面包含高台区及凹陷区对应位于第二接触部上；其中，高台区相对于上表面的其他区域具有一最大高度；其中，高台区在一水平面上的投影面积为A1，高台区及凹陷区在上述水平面上的投影面积总和为A2，A1A2的比值介于50％～80％。

主权项：1.一种发光元件，包含：半导体叠层，包括第一半导体层、活性层及第二半导体层；第一接触电极及第二接触电极位于该半导体叠层上，其中该第一接触电极包含位于该第一半导体层上的第一接触部，该第二接触电极包含位于该第二半导体层上的第二接触部；绝缘材料叠层，位于该半导体叠层上，包含开口位于该第二接触部上；以及第一电极垫及第二电极垫位于该绝缘材料叠层上，其该中第二电极垫填入该开口连接该第二接触部；其中，该第二电极垫包含上表面，该上表面包含高台区及凹陷区对应位于该第二接触部上；其中，该高台区相对于该上表面的其他区域具有最大高度；其中，该高台区在水平面上的投影面积为A1，该高台区及该凹陷区在该水平面上的投影面积总和为A2，A1A2的比值介于50％～80％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晶元光电股份有限公司 发光元件及具有此发光元件的背光单元及显示装置

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