申请/专利权人：深圳市安信达存储技术有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810207A

主分类号：H01L23/552

分类号：H01L23/552;H01L23/29;H01L23/31;C09D183/04;C09D7/62;C09D7/61;C09D5/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及一种太空环境卫星中嵌入式存储芯片的金属片封装方法，属于芯片的抗辐射处理技术领域。所述方法包括对基底金属材料表面进行预处理；准备辐射增强耐腐蚀层原料；将辐射增强耐腐蚀层原料混合后，室温研磨，过滤，喷涂于预处理的基底金属材料表明，干燥，固化，得表面涂敷有辐射增强耐腐蚀层的金属片；将表面涂敷有辐射增强耐腐蚀层的金属片加工成抗辐射壳体，随后将抗辐射壳体封装在嵌入式存储芯片的表面。本发明既实现了质量轻金属基底达到抗辐射目的，又提高了抗辐射壳体的耐腐蚀、抗湿性能。

主权项：1.一种太空环境卫星中嵌入式存储芯片的金属片封装方法，其特征在于，包括：对基底金属材料表面进行预处理；准备辐射增强耐腐蚀层原料，所述辐射增强射耐腐蚀层包括以下重量份原料：10-20份硅氧烷改性石墨烯、5-10份氧化锌、5-10份氧化锡、20-30份甲基三甲氧基硅氧烷、0.5-3份甲酸、和8-28份去离子水；将硅氧烷改性石墨烯、氧化锌、氧化锡、分散助剂和去离子水混合均匀后，加入甲基三甲氧基硅氧烷和甲酸，室温研磨，过滤，喷涂于预处理的基底金属材料表明，干燥，固化，得表面涂敷有辐射增强耐腐蚀层的金属片；将表面涂敷有辐射增强耐腐蚀层的金属片加工成抗辐射壳体，随后将抗辐射壳体封装在嵌入式存储芯片的表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市安信达存储技术有限公司 一种太空环境卫星中嵌入式存储芯片的金属片封装方法

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