申请/专利权人：北京大学

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117809706A

主分类号：G11C11/22

分类号：G11C11/22;G06F21/72;G06F21/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明一种集成加密功能的存储器单元及其应用。该存储器单元包括一个P型隧穿场效应晶体管作为写入管、一个N型隧穿场效应晶体管作为读出管和一个铁电电容，写入管、读出管和铁电电容相互连接共同构成存储节点SN，写入管栅极接写入字线、漏极接写入位线、源极接SN，读出管栅极接SN、漏极接读出位线、源极接地，铁电电容一端接SN、另一端接读出字线；其中，SN用于存储明文信息，铁电电容用于存储密钥信息；铁电电容存在两种极化状态，对应两种不同的电容大小，能在存储器单元读出的过程中实现不同的分压，进而实现明文信息和密钥信息之间的加密解密功能。本发明增大了存储电路安全性，降低了硬件代价，增大了存储窗口和阵列规模。

主权项：1.一种集成加密功能的存储器单元，其特征在于，包括一个P型隧穿场效应晶体管作为写入管、一个N型隧穿场效应晶体管作为读出管和一个铁电电容，所述写入管、读出管和铁电电容相互连接共同构成存储节点SN，其中，写入管的源电极连存储节点SN、栅电极连写入字线WWL、漏电极连写入位线WBL，读出管的栅电极连存储节点SN、漏电极连读出位线RBL、源电极连0V，铁电电容的一端连存储节点SN，另一端连读出字线RWL；所述铁电电容存在两种极化状态，一种是极化向上，一种是极化向下，且铁电电容在无外加电压时能保持上述两种极化状态，因此，所述存储器单元中存在两个存储部分，一个是存储节点SN，用于存储明文信息，另一个是铁电电容，用于存储密钥信息；所述铁电电容的两种极化状态对应两种不同的电容大小，能在存储器单元读出的过程中实现不同的分压，进而实现明文信息和密钥信息之间的加密解密功能；所述PN型隧穿场效应晶体管，其源端包括源金属层和包裹源金属层的源半导体层，该隧穿场效应晶体管的源端在物理上等效为栅控肖特基结与栅控PN结的串联结构，具有双向导通特性；其漏端距离栅边界有一定的距离，能抑制隧穿场效应晶体管的双极电流，降低器件关态电流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 一种集成加密功能的存储器单元及其应用

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