申请/专利权人：隆基绿能科技股份有限公司

申请日：2024-03-01

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810276A

主分类号：H01L31/0236

分类号：H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开一种背接触电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，以提高背接触电池中背光面一侧的光线利用率和对准标记的识别精度，提升背接触电池的光电转换效率和良率。背接触电池包括硅基底、以及交替间隔分布在硅基底背光面一侧的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层。硅基底的背光面中，与第一掺杂半导体层对应的区域为第一区域，与第二掺杂半导体层对应的区域为第二区域，位于第一区域和与自身相邻的第二区域之间的区域为间隔区域。第二区域的表面相对于第一区域的表面向硅基底内凹入。间隔区域的表面相对于第二区域的表面向硅基底内凹入。间隔区域的底表面、间隔区域靠近第一区域的第一侧表面、以及间隔区域靠近第二区域的第二侧表面均为绒面。

主权项：1.一种背接触电池，其特征在于，包括：硅基底、以及交替间隔分布在硅基底背光面一侧的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层；其中，所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层的导电类型相反；在所述硅基底的背光面中，与所述第一掺杂半导体层对应的区域为第一区域，与所述第二掺杂半导体层对应的区域为第二区域，位于所述第一区域和与自身相邻的第二区域之间的区域为间隔区域；所述第二区域的表面相对于所述第一区域的表面向所述硅基底内凹入；所述间隔区域的表面相对于所述第二区域的表面向所述硅基底内凹入；所述间隔区域的底表面、所述间隔区域靠近所述第一区域的第一侧表面、以及所述间隔区域靠近所述第二区域的第二侧表面均为绒面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 隆基绿能科技股份有限公司 一种背接触电池及其制造方法

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