申请/专利权人：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117802576A

主分类号：C30B25/02

分类号：C30B25/02;C23C16/54;C30B25/14;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及半导体制造设备技术领域，公开了一种气相沉积系统及气相沉积方法，气相沉积系统包括中转腔、第一反应腔、第二反应腔及转运装置，第一反应腔与中转腔连接，第一反应腔用于在目标半导体器件层的至少一侧生长第一外延层；第二反应腔与中转腔连接，第二反应腔用于在第一外延层背离目标半导体器件层的一侧生长第二外延层，其中，第二外延层与第一外延层的导电类型相反；转运装置设置在中转腔内，转运装置用于带动目标半导体器件层自第一反应腔移动至第二反应腔内。第一外延层和第二外延层分别在不同的反应腔内生长，避免了第一外延层和第二外延层在同一个反应腔内生长导致的材料交叉污染，保证了外延层生长的稳定性和可重复性。

主权项：1.一种气相沉积系统，其特征在于，包括：中转腔100；第一反应腔200，与所述中转腔100连接，所述第一反应腔200用于在目标半导体器件层的至少一侧生长第一外延层；第二反应腔300，与所述中转腔100连接，所述第二反应腔300用于在所述第一外延层背离所述目标半导体器件层的一侧生长第二外延层；其中，所述第二外延层与所述第一外延层的导电类型相反；转运装置400，设置在所述中转腔100内，所述转运装置400用于带动所述目标半导体器件层自所述第一反应腔200移动至所述第二反应腔300内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡市华辰芯光半导体科技有限公司 一种气相沉积系统及气相沉积方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD