申请/专利权人：东南大学;南京集成电路设计自动化技术创新中心

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117807931A

主分类号：G06F30/3312

分类号：G06F30/3312;G06F30/337;G06F117/12

优先权：["20231117 CN 2023115371215"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种面向先进工艺的单元延时模型构建方法，计算根据输入转换时间进行划分的快慢边界τref。分别根据快输入和慢输入的标称延时公式建立延时标称模型。快输入下提取晶体管开态电流和阈值电压作为主导参数波动，慢输入下提取多个晶体管的特定工作点电流和阈值电压作为主导参数波动，考虑工艺参数相关性，基于快输入和慢输入的延时标称模型根据误差传递公式分别建立快输入和慢输入下的延时统计模型。本发明建立的延时统计模型考虑多个工艺参数波动对延时的影响，具有更高的模型精度、更大的输入转换时间范围，适用于不同单元、不同温度、不同尺寸以及不同输出负载电容，还能减少仿真开销，节约仿真时间。

主权项：1.一种面向先进工艺的单元延时模型构建方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1、在晶体管处于Vgs＝Vds＝Vdd场景下，通过仿真获取单元延时模型快输入波动参数阈值电压标称值Vth1及其标准差σVth1，开态电流标称值Ion1及其标准差σIon1；其中：Vgs为晶体管栅源电压，Vds为晶体管漏源电压，Vdd为晶体管供电电压；步骤2、在晶体管处于Vgs＝Vds＝Vdd2场景下，通过仿真分别获取NMOS、PMOS的阈值电压和电流标称值vthn、Idn、vthp、和Idp，以及NMOS、PMOS的阈值电压和电流标准差σvthn、σIdn、σvthp和σIdp；步骤3、计算快慢输入边界τre；步骤4、当输入转换时间τ小于τref，获取在输出负载电容C、组合逻辑单元类型T、单元尺寸S、工艺角X和温度Y下的快输入延时标称模型；步骤5、当输入转换时间τ小于τref，获取在输出负载电容C、组合逻辑单元类型T、单元尺寸S、工艺角X和温度Y下的快输入延时统计模型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东南大学;南京集成电路设计自动化技术创新中心 一种面向先进工艺的单元延时模型构建方法

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