申请/专利权人：原子高科股份有限公司

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117809879A

主分类号：G21G4/06

分类号：G21G4/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及β放射源制备技术领域，尤其涉及一种β平面源及其制备方法。该方法包括将含有核素的标准溶液加入底部放置有PET膜的蒸发槽中，进行水浴加热使蒸发槽中的溶液蒸干，得到覆有核素的PET膜，在所述覆有核素的PET膜上放置EVA膜，然后在所述EVA膜上放置铝箔，进行热封，得到源芯，将所述源芯安装在源壳中，得到β平面源。本发明提供能够制备不同规格β平面源的新方法，该方法制备放射源对核素的普适性好，制备的β平面源具有β粒子损失小，牢固性高，均匀性好等优点。

主权项：1.一种β平面源的制备方法，其特征在于，包括：将含有核素的标准溶液加入底部放置有PET膜的蒸发槽中，进行水浴加热使蒸发槽中的溶液蒸干，得到覆有核素的PET膜，在所述覆有核素的PET膜上放置EVA膜，然后在所述EVA膜上放置铝箔，进行热封，得到源芯，将所述源芯安装在源壳中，得到β平面源。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 原子高科股份有限公司 一种β平面源及其制备方法

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