申请/专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810285A

主分类号：H01L31/101

分类号：H01L31/101;H01L31/0336;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本公开属于紫外探测技术领域，提供了一种日盲紫外探测器及其制备方法。该探测器从下至上包括第一电极、硅衬底、B单极势垒缓冲层包括氧化镁、氧化铪中的至少一种、氧化镓薄膜层、第二电极。制备方法：在硅衬底上依次溅射生长B单极势垒缓冲层、氧化镓薄膜层；经光刻工艺分别沉积第一电极和第二电极。本公开B单极势垒缓冲层的引入，可以调节氧化镓薄膜层与硅衬底之间的界面失配，有效抑制界面缺陷形成，降低器件的暗电流；还可以阻挡可见光照下来自硅衬底侧的光生电子的移动，减少探测器对可见光的响应并提升其紫外可见光抑制比；同时它不会阻碍日盲紫外光照下氧化镓薄膜层侧产生的光生空穴移动，不会降低探测器对日盲紫外光的光电流。

主权项：1.一种日盲紫外探测器，其特征在于，所述日盲紫外探测器从下至上包括依次层叠设置的第一电极、硅衬底、B单极势垒缓冲层、氧化镓薄膜层、第二电极，所述B单极势垒缓冲层的材料包括氧化镁、氧化铪中的至少一种。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种日盲紫外探测器及其制备方法

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