申请/专利权人：西北工业大学

申请日：2024-01-16

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894752A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;C25D5/20;C25D7/12;C25D5/00;C25D3/38

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明公开一种超声辅助电镀填充硅转接板盲孔的方法，属于微纳制造工艺领域。本发明所述方法为：在带绝缘层的盲孔深宽比为5：1～16：1中，通过溅射工艺沉积厚度为100～300nm的镍膜作为阻挡层，通过蒸镀工艺沉积厚度为80～300nm的铜膜作为种子层；接着将其放入电镀槽附图1⑧中的晶圆支架附图1⑥中，保持0.5～1.2Adm2的电流密度，启动间歇超声装置附图1⑨进行电镀。本发明通过溅射、蒸镀工艺和间歇超声处理，实现高深宽比、缺陷少的致密盲孔填充，在3D封装、片上晶上系统集成等领域具有广阔的应用前景。

主权项：1.一种超声辅助电镀填充硅转接板盲孔的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：1获得带有绝缘层的盲孔晶圆深宽比为5：1～16：1；2通过溅射工艺沉积厚度为100～300nm的镍膜作为阻挡层，通过蒸镀工艺沉积厚度为80～300nm的铜膜作为种子层；3将溅射和蒸镀后的硅晶圆放入电镀槽附图1⑧中的晶圆支架附图1⑥中，阳极板附图1③和晶圆支架分别连接电源阳极和阴极，保持0.5～1.2Adm2的电流密度，启动间歇超声装置附图1⑨，在20～35℃下进行电镀2～4h。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西北工业大学 一种超声辅助电镀填充硅转接板盲孔的方法

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