申请/专利权人：厦门大学

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878180A

主分类号：H01L31/105

分类号：H01L31/105;H01L31/0236;H01L31/0336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及光电传感器领域，具体涉及一种硅基氧化镓异质日盲光电传感器结构，所述传感结构由硅衬底、多维硅纳米锥结构、氧化镓薄膜、P型掺杂区、N型掺杂区、欧姆接触、以及金电极构成；多维硅纳米锥结构由微米结构和纳米结构组合而成；微米结构预先采用MEMS工艺光刻成相应图形，再通过Bosch刻蚀形成相应微米结构；纳米结构是在微米结构的基础上采用光刻工艺形成相应图形，再通过等离子体浸没刻蚀形成微纳分层的多维硅纳米锥结构。本发明形成的PIN型光电探测结构本征区具有很高的阻抗与氧化镓薄膜对日盲紫外光的倍增吸收可以对光生电子空穴对进行有效收集，将探测的范围扩展到日盲紫外光范围，从而获得理想的量子效率和响应速度。

主权项：1.一种硅基氧化镓异质日盲光电传感器结构，其特征在于：所述传感结构由硅衬底1、多维硅纳米锥结构2、氧化镓薄膜3、P型掺杂区4、N型掺杂区5、欧姆接触6、以及金电极7构成；其中，所述多维硅纳米锥结构2由微米结构和纳米结构组合而成；所述微米结构预先采用MEMS工艺光刻成相应图形，再通过Bosch刻蚀形成相应微米结构；所述纳米结构是在微米结构的基础上采用光刻工艺形成相应图形，再通过等离子体浸没刻蚀形成微纳分层的多维硅纳米锥结构；所述的P型掺杂区4为低浓度硼掺杂，位于硅片正面，即硅纳米锥结构所在表面；所述的N型掺杂区5为低浓度磷掺杂，位于硅片背面，即无结构表面；所述的氧化镓薄膜3为功能薄膜层，覆盖在硅纳米锥结构的上方；所述的金电极7分为两部分，上电极与下电极，上电极在硅纳米锥结构四周，下电极在硅片背面；所述的欧姆接触分别在在上电极的下方和下电极的上方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门大学 一种硅基氧化镓异质日盲光电传感器结构

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