申请/专利权人：泰州中来光电科技有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810298A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及光伏电池技术领域，公开一种局域正面钝化接触结构的制备方法及TOPCon电池的制作方法。局域正面钝化接触结构的制备方法包括：经化学氧化处理在硅片正面形成氧化硅膜，水洗硅片；用含有六甲基二硅氮烷其质量浓度为3‑20％的甲苯溶液进行后处理，后处理的时间为1‑20分钟、温度为25‑80℃，使氧化硅膜的正面覆盖HDMS膜，水洗烘干硅片；在HDMS膜正面制备正面掺杂非晶硅层；经局域晶化处理形成正面局域掺杂多晶硅层；去除未晶化的正面掺杂非晶硅层，并保留好正面局域掺杂多晶硅层，水洗烘干。本发明所得的局域正面钝化接触结构避免了正面寄生吸收损失，更好地平衡了发射区接触电阻、发射极复合与金属复合，具有更好的钝化接触效果，能提升电性能。

主权项：1.一种局域正面钝化接触结构的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：S1、对硅片进行化学氧化处理，以在硅片正面形成氧化硅膜，水洗硅片；S2、采用含有六甲基二硅氮烷的甲苯溶液对硅片进行后处理，以使所述氧化硅膜的正面覆盖HDMS膜，以实现对钝化接触性能的改善，水洗、烘干硅片；其中，所述含有六甲基二硅氮烷的甲苯溶液中，六甲基二硅氮烷的质量浓度为3-20％，后处理的时间为1-20分钟、温度为25-80℃；S3、在硅片的HDMS膜正面制备正面掺杂非晶硅层；S4、对所述正面掺杂非晶硅层的局域进行晶化处理，以使电极接触区域的正面掺杂非晶硅层转成为正面局域掺杂多晶硅层；S5、去除未晶化的正面掺杂非晶硅层，并保留好所述正面局域掺杂多晶硅层，水洗、烘干。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泰州中来光电科技有限公司 局域正面钝化接触结构的制备方法及TOPCon电池的制作方法

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