申请/专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117802465A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;C23C14/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开一种低色散波段的硅基材料薄膜的折射率大幅调控方法，包括步骤：步骤1，对衬底进行超声清洗活化；步骤2，选取硅靶及金属靶作为共溅射靶材对衬底共溅射，得到高折射率的硅基材料薄膜；步骤3，将所述高折射率硅基薄膜置于金属刻蚀液中刻蚀，制备低折射率的硅基材料薄膜，通过步骤2和步骤3，实现硅基材料薄膜的折射率在1.8～8之间任意调控。本发明通过将硅作为基质，通过金属靶材共溅射引入金属，刻蚀液刻蚀引入空气孔隙，有效地提高或降低了硅基材料的等效折射率，可调控范围大幅度增大，且调控精准率高。且基于其宽谱低色散，低吸收的特性，进一步扩大了红外透明材料的折射率调控范围。

主权项：1.一种低色散波段的硅基材料薄膜的折射率大幅调控方法，其特征在于，包括步骤：步骤1，对衬底进行超声清洗，再采用加热或等离子体轰击活化衬底表面；步骤2，选取硅靶及金属靶作为共溅射靶材，对衬底进行多靶磁控共溅射，得到高折射率的硅基材料薄膜，薄膜中包含硅相和金属相，硅相呈非晶结构，金属相为晶体结构；金属相在薄膜中呈纳米颗粒或纳米线或纳米网结构分布；步骤3，将所述高折射率硅基薄膜置于金属刻蚀液中刻蚀，制备低折射率的硅基材料薄膜，薄膜中包含硅相和空气相；空气相在薄膜中呈纳米线或纳米网结构分布；通过步骤2和步骤3，实现硅基材料薄膜的折射率在1.8～8之间任意调控。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种低色散波段的硅基材料薄膜的折射率大幅调控方法

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