申请/专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810339A

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种高可靠性LED及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。制备方法包括：提供外延片，形成光刻胶层；将光刻胶层曝光显影形成具有底切部的第一孔洞，在第一孔洞中形成至少一层第一金属层；在60℃～120℃烘烤5min～15min，以使位于所述底切部上方的光刻胶层顶起预设距离，所述第一孔洞扩大形成第二孔洞；在第二孔洞内形成至少一层第二金属层，去除光刻胶层，形成N电极、P电极；形成钝化层，并开孔，即得到高可靠性LED成品。实施本发明，可形成具有良好包覆结构的电极结构，有效提升了LED的可靠性。

主权项：1.一种高可靠性LED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1提供外延片，所述外延片包括衬底和依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层；2在所述外延片上形成光刻胶层；3将所述光刻胶层曝光显影形成具有底切部的第一孔洞，所述底切部的宽度为4μm～6μm，底切部的上方残余有厚度为2μm～3μm的光刻胶层；4在所述第一孔洞中形成至少一层第一金属层；5将步骤4得到的外延片在60℃～120℃烘烤5min～15min，以使位于所述底切部上方的光刻胶层顶起预设距离，所述第一孔洞扩大形成第二孔洞；6在所述第二孔洞内形成至少一层第二金属层，所述第二金属层包覆所述第一金属层，并与所述外延片形成60°～70°的夹角；7去除所述光刻胶层，形成N电极、P电极；8在步骤7得到的外延片上形成钝化层，并开孔，即得到高可靠性LED成品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 佛山市国星半导体技术有限公司 高可靠性LED及其制备方法

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