申请/专利权人：南京理工大学

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117800390A

主分类号：C01G29/00

分类号：C01G29/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种溶液辅助法制备二维铋氧硫薄膜的方法。所述方法将BiNO33·5H2O粉末溶于乙二醇中配置前驱体溶液，然后旋涂于硅片衬底表面，退火形成Bi2O3薄膜，再以硫粉作为前驱体粉末置于双温区管式炉的第一温区，Bi2O3薄膜置于双温区管式炉的第二温区，升温硫化得到大面积的二维Bi2O2S薄膜。本发明通过调控前驱体的浓度、匀胶机的转速来调控制备薄膜的厚度以及均匀性，薄膜厚度可以精确控制到10nm，实现了二维尺度稳定可控且高质量的Bi2O2S薄膜的大面积制备。

主权项：1.一种溶液辅助法制备二维铋氧硫薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将BiNO33·5H2O粉末溶于CH2OH2中，配置前驱体溶液；步骤2，将前驱体溶液旋涂于洁净的亲水处理过的硅片衬底表面，蒸发溶剂后置于氩气氛围以及低压200±50Pa下，升温至480±10℃进行退火，退火时间为50～60min，得到Bi2O3薄膜；步骤3，以硫粉作为前驱体粉末置于双温区管式炉的第一温区，第一温区的反应温度为135～150℃，Bi2O3薄膜置于双温区管式炉的第二温区，第二温区的反应温度为500±10℃，在氩气氛围以及压强为1000±50Pa下升温，两个温区的升温时间为40min～50min，之后恒温保持30±10min，得到大面积的二维Bi2O2S薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京理工大学 一种溶液辅助法制备二维铋氧硫薄膜的方法

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