申请/专利权人:华南师范大学
申请日:2023-12-25
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117812923A
主分类号:H10K30/88
分类号:H10K30/88;H10K30/40;H10K30/50;H10K85/60;H10K71/12
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要:本发明公开了一种基于9‑乙酰基咔唑有机界面修饰层的钙钛矿器件及其制备方法。器件右下至上依次是阳极基底、空穴传输层、有机界面修饰层、钙钛矿层、电子传输层、电极修饰层和金属电极;所述有机界面修饰层为9‑乙酰基咔唑材料。本发明通过在空穴传输层与钙钛矿层之间加入超薄的9‑乙酰基咔唑界面修饰层,有效改善了空穴传输层与钙钛矿之间的能级差;所引入超薄的有机界面修饰层还能够有效避免钙钛矿薄膜受到PEDOT:PSS的腐蚀;基于这种新型的有机界面修饰材料,不仅改善了钙钛矿薄膜的光电性能,器件参数也得到有效提升。
主权项:1.一种基于9-乙酰基咔唑有机界面修饰层的钙钛矿器件,其特征在于:由下至上依次由基底、空穴传输层、有机界面修饰层、钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层、金属电极构成,所述有机界面修饰层材料为9-乙酰基咔唑。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 华南师范大学 基于9-乙酰基咔唑有机界面修饰层的钙钛矿器件及其制备方法
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