申请/专利权人：江西沐邦高科股份有限公司;广西沐邦高科新能源有限公司

申请日：2024-02-01

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810274A

主分类号：H01L31/0216

分类号：H01L31/0216;H01L31/068

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种TOPCon太阳能电池及光伏组件。该TOPCon太阳能电池包括硅片衬底、发射极层、第一隧穿层和多层硼掺杂晶硅层，发射极层形成于硅片衬底的受光面一侧，第一隧穿层和多层硼掺杂晶硅层设置在发射极层上；沿硅片衬底指向硼掺杂晶硅层的方向，多层硼掺杂晶硅层的掺杂浓度依次递增。通过设置多层硼掺杂浓度由内向外依次递增的硼掺杂晶硅层，这样使得靠近发射极层的硼掺杂晶硅层的硼掺杂浓度低于远离发射极层的硼掺杂晶硅层的硼掺杂浓度，从而能够减小由于靠近发射极层的硼原子浓度过高而发生加剧载流子复合速率的不良现象，减少TOPCon太阳能电池中的电子与空穴复合现象，进而提高光电转换效率。

主权项：1.TOPCon太阳能电池，其特征在于，包括硅片衬底1、发射极层2、第一隧穿层3和多层硼掺杂晶硅层4，所述发射极层2形成于所述硅片衬底1的受光面一侧，所述第一隧穿层3和多层所述硼掺杂晶硅层4设置在所述发射极层2上；沿所述硅片衬底1指向所述硼掺杂晶硅层4的方向，多层所述硼掺杂晶硅层4的掺杂浓度依次递增。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西沐邦高科股份有限公司;广西沐邦高科新能源有限公司 TOPCon太阳能电池及光伏组件

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