申请/专利权人:爱思菲尔光学科技(苏州)有限公司
申请日:2022-03-02
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN114497262B
主分类号:H01L31/101
分类号:H01L31/101;H01L31/0236;H01L31/18
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.02#授权;2022.05.31#实质审查的生效;2022.05.13#公开
摘要:本公开提供窄带选择性超表面辐射器及其制造方法。所述窄带选择性超表面辐射器,包括:高温难熔金属基底;所述高温难熔金属基底的表面具有周期排列的孔状浅微腔;所述孔状浅微腔中具有高温难熔金属氧化物填充层。本公开的窄带选择性超表面辐射器能够提高热光伏转化为电能的转化效率,能够耐高温环境。
主权项:1.一种窄带选择性光子晶体辐射器,包括:高温难熔金属基底;所述高温难熔金属基底的表面具有周期排列的孔状浅微腔;所述孔状浅微腔中具有高温难熔金属氧化物填充层;其中,所述高温难熔金属包括钨、钼、钽和铌中的一种或几种的组合;所述高温难熔金属氧化物包括氧化铝、氧化铪和五氧化二钽中的一种或几种的组合;所述高温难熔金属基底的表面为平面和或曲面;所述高温难熔金属基底的表面的粗糙度小于100nm,平整度小于5μm;所述浅微腔的内径不大于1μm,深度为50-500nm;所述高温难熔金属氧化物填充层的厚度与所述孔状浅微腔的深度一致,误差不超过深度的110。
全文数据:
权利要求:
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