申请/专利权人：西安理工大学

申请日：2021-11-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114185125B

主分类号：G02B5/30

分类号：G02B5/30;G02B1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.04.01#实质审查的生效;2022.03.15#公开

摘要：本发明公开了一种超表面偏振调控的消色差方法，在单一的衬底上制备超表面结构，通过金属纳米结构的电磁波吸收效应实现长波红外谱段的四个线偏振本征模透过率的有效调控。与现有基于偏振态相位调控的超表面相比，其可以对整个长波红外波段的每个波长的偏振态进行透过率调控，克服了相位调控存在色差的缺点；与现有基于偏振态透过率调控的超表面相比，其可对全部四个线偏振本征模进行调控；其线宽较大，可采用低成本的工艺设备进行制作。此外，连接衬底的双层结构单元可以进一步提高透过率。

主权项：1.超表面偏振调控的消色差方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、在单晶硅片上表面沉积金属膜，获得超表面结构的衬底，以超表面结构的衬底中心为坐标原点，划分为四个象限；所述金属膜为铝膜，厚度为0.6μm；步骤2、对每个象限的金属膜表面采用光刻工艺按照偏振吸收角度制备印刻单元；具体过程为：对每个象限的金属膜表面偏振吸收角进行设定：第一象限为与X轴平行，第二象限为与X轴垂直，第三象限为与X轴正方向呈45°夹角，第四象限为与X轴正方向呈－45°夹角，采用光刻工艺按照每个象限的偏振吸收角刻蚀多个印刻单元；步骤3、采用刻蚀工艺在印刻单元内刻蚀金属纳米线和硅纳米线；具体过程为：采用刻蚀工艺结合印刻单元在金属膜、单晶硅片表面刻蚀金属纳米线和硅纳米线的双层结构单元；每个所述象限内的双层结构单元周期为2μm；所述双层结构单元的高度为0.8μm，宽度为0.8μm；步骤4、将入射电磁波从单晶硅片底部入射，在单晶硅片和金属膜内传播时通过金属纳米线和硅纳米线对电磁波的偏振态影响，再金属膜表面的四个象限获得消色差的电磁波。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安理工大学 超表面偏振调控的消色差方法

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