申请/专利权人：深圳市晶存科技有限公司

申请日：2023-04-17

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN116597887B

主分类号：G11C29/56

分类号：G11C29/56;G11C29/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.09.01#实质审查的生效;2023.08.15#公开

摘要：本申请实施例提供了一种LPDDR芯片的降容测试方法、系统、设备以及存储介质，属于存储器技术领域。方法包括：从LPDDR芯片的两个通道中选择一个通道作为降容通道，确定降容通道的原输入端为LPDDR芯片的目标输入端，确定LPDDR芯片的原输出端为LPDDR芯片的目标输出端；通过终端向降容通道发送测试指令；通过预先获取的测试数据和读取的LPDDR芯片的存储数据进行对比，确定与测试数据不一致的存储数据的第一物理地址；对各第一物理地址进行解析得到通道信息值，并根据通道信息值对LPDDR芯片进行读、写以及比较操作，得到LPDDR芯片的测试结果，其中，测试结果用于表征LPDDR芯片为良品或为不良品。本申请能够对LPDDR芯片进行降容测试，提高了LPDDR芯片的利用率。

主权项：1.一种LPDDR芯片的降容测试方法，其特征在于，所述方法包括：从LPDDR芯片的两个通道中选择一个通道作为降容通道，确定所述降容通道的原输入端为所述LPDDR芯片的目标输入端，确定所述LPDDR芯片的原输出端为所述LPDDR芯片的目标输出端；将所述降容通道的所述目标输入端与终端通信连接，通过所述终端向所述降容通道发送测试指令，以使所述LPDDR芯片在所述测试指令下进行初始化操作；向所述LPDDR芯片中写入预先获取的测试数据；读取所述LPDDR芯片的存储数据，将所述测试数据与所述存储数据进行对比，确定与所述测试数据不一致的所述存储数据的物理地址作为第一物理地址；通过SOC控制芯片中的EMI控制器确定各所述第一物理地址的通道位置值；从各所述第一物理地址中选取任一个第一物理地址作为当前物理地址；根据所述当前物理地址的所述通道位置值对所述当前物理地址进行通道解析，得到当前通道信息值；当所述当前通道信息值与所述降容通道对应，对所述LPDDR芯片进行读、写以及比较操作，通过所述目标输出端得到读、写以及比较操作结果，若所述读、写以及比较操作结果正常，则执行下一步骤；当所述通道信息值与所述降容通道不对应，则直接执行下一步骤；选取下一个第一物理地址作为当前物理地址，返回根据所述当前物理地址的所述通道位置值对所述当前物理地址进行通道解析，得到当前通道信息值这一步骤，直至所述读、写以及比较操作结果异常，或者完成对各所述第一物理地址的遍历后，得到所述LPDDR芯片的测试结果；所述通过SOC控制芯片中的EMI控制器确定各所述第一物理地址的通道位置值，包括：获取所述EMI控制器的EMI接口参数；根据第一数值对所述EMI接口参数进行右移操作，得到第一运算结果值；将第二数值和所述第一运算结果值进行与运算，得到第二运算结果值；将所述第二运算结果值与第三数值进行和运算，得到通道位置值；所述根据所述当前物理地址的所述通道位置值对所述当前物理地址进行通道解析，得到当前通道信息值，包括：根据所述通道位置值对所述当前物理地址进行右移操作，得到第四运算结果值；将所述第四运算结果值和第四数值进行与运算，得到所述当前通道信息值。

全文数据：

权利要求：

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