申请/专利权人：上海鲲游科技有限公司

申请日：2023-04-12

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN116482929B

主分类号：G03F1/00

分类号：G03F1/00;G02B6/136;G02B6/124;G03F7/00;G02B5/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.08.11#实质审查的生效;2023.07.25#公开

摘要：本发明提供了一种掩模结构，掩模结构包括：沿第一方向排列的若干掩模单元；掩模单元沿第一方向的宽度适配于光栅结构的光栅周期；掩模单元包括：第一图形化区域，用于制备光栅单元的凸起部分；第一图形化区域沿第一方向的宽度适配于对应的光栅单元的凸起部分沿第一方向的宽度；第二图形化区域，用于制备光栅单元的凹槽部分；第二图形化区域沿第一方向的宽度适配于对应的光栅单元的凹槽部分沿第一方向的宽度；其中，第二图形化区域具体包括：若干图形化子单元，图形化子单元包括遮光区域与透光区域；凹槽部分的凹槽深度与透光区域沿第一方向的宽度相关。本发明提供的掩膜结构可以用于制备深度调制的光栅结构、降低了工艺复杂度及工艺难度。

主权项：1.一种掩模结构，用于制备深度调制的光栅结构，所述光栅结构中包括沿第一方向排列的若干光栅单元，其特征在于，所述掩模结构包括：沿所述第一方向排列的若干掩模单元；所述掩模单元沿所述第一方向的宽度适配于所述光栅结构的光栅周期；所述掩模单元包括：第一图形化区域；所述第一图形化区域用于制备所述光栅单元的凸起部分；其中，所述第一图形化区域沿所述第一方向的宽度适配于对应的所述光栅单元的凸起部分沿所述第一方向的宽度；第二图形化区域；所述第二图形化区域用于制备所述光栅单元的凹槽部分；所述第一图形化区域与所述第二图形化区域沿所述第一方向排列；所述第二图形化区域沿所述第一方向的宽度适配于对应的所述光栅单元的凹槽部分沿所述第一方向的宽度；其中，所述第二图形化区域具体包括：若干图形化子单元，所述图形化子单元包括遮光区域与透光区域；所述凹槽部分的凹槽深度与所述透光区域沿所述第一方向的宽度正相关。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海鲲游科技有限公司 掩膜结构、光栅结构、光栅母版与压印模板的制备方法

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