申请/专利权人：桂林电子科技大学

申请日：2019-01-15

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN109613635B

主分类号：G02B5/00

分类号：G02B5/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2019.05.07#实质审查的生效;2019.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器，解决的是品质因数差的技术问题，通过采用所述基于表面晶格共振的超窄带吸收体是由纳米环柱阵列组成的；所述的纳米阵列单元从下往上依次设置为介质层基底、金属薄膜反射层及谐振器；所述的纳米阵列单元反射层薄膜金的厚度大于入射电磁波在贵金属金的趋肤深度的技术方案；所述的纳米阵列单元采用双环柱结构压缩了吸波体的吸收频谱的半峰全宽，较好地解决了传统吸波体吸收效率低，吸收半峰全宽大，品质因数低等问题，可用于窄带热辐射器，等离子体生物传感器的应用中。

主权项：1.一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器，其特征在于：所述金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器由周期性金属纳米环柱结构组成；所述纳米环柱阵列结构从下往上依次为介质基底、底层连续金属薄膜层以及谐振器；所述底层连续金属薄膜层的厚度大于入射波在所述底层连续金属薄膜层同材质金属中的趋肤深度；所述谐振器包括两个同心金属纳米环柱；第一同心金属纳米环柱处于第二同心金属纳米环柱之下，两环柱内径相等，第一纳米环柱外径大于第二纳米环柱的外径，两者高度相等；所述第一纳米环柱与第二纳米环柱直接相叠，无需设置中间介质层；所述介质基底与底层连续金属薄膜竖直截面形状均为长方形；所述介质基底和底层连续金属薄膜的水平截面形状均为正方形且大小相同；所述底层连续金属薄膜的材质为金；所述底层连续金属薄膜的长度和宽度均为p=1000nm，高度h=200nm；所述第一同心金属纳米环柱的内径d1=100nm，外径d3=300nm，高度h2=40nm；所述第二同心金属纳米环柱的内径d1=100nm，外径d2=210nm，高度h1=40nm；所述介质基底包括二氧化硅基底材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 桂林电子科技大学 一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD