申请/专利权人:一道新能源科技股份有限公司
申请日:2023-12-05
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117352597B
主分类号:H01L31/18
分类号:H01L31/18;H01L21/223;H01L31/0236;H01L31/068
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.02#授权;2024.01.23#实质审查的生效;2024.01.05#公开
摘要:本发明提供了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和用电设备,涉及新能源技术领域。所述方法包括:获取目标硅片;目标硅片包括具有绒面结构的第一表面;对第一表面进行激光刻槽处理,得到刻槽表面;对刻槽表面进行硼扩散处理,得到硼扩后的目标硅片;硼扩后的目标硅片包括覆盖在刻槽表面的发射极层;对硼扩后的目标硅片进行退火处理,得到退火后的目标硅片;对退火后的目标硅片进行二次硼扩散处理,得到二次硼扩后的目标硅片;基于二次硼扩后的目标硅片,制备目标太阳能电池。本发明实施例可以降低激光刻槽处理对硅片表面绒面结构的破坏程度,降低二次硼扩后的目标硅片的表面反射率,提高目标太阳能电池的光电转换效率。
主权项:1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述方法包括:获取目标硅片;所述目标硅片为N型硅片,所述目标硅片包括具有绒面结构的第一表面;对所述第一表面进行激光刻槽处理,得到刻槽表面;对所述刻槽表面进行硼扩散处理,得到硼扩后的目标硅片;所述硼扩后的目标硅片包括覆盖在所述刻槽表面的发射极层,所述发射极层包括P型重掺杂区和P型轻掺杂区;对所述硼扩后的目标硅片进行退火处理,得到退火后的目标硅片;对所述退火后的目标硅片进行二次硼扩散处理,得到二次硼扩后的目标硅片;所述二次硼扩后的目标硅片包括覆盖在所述刻槽表面的氧化物层;基于所述二次硼扩后的目标硅片,制备目标太阳能电池;所述对所述刻槽表面进行硼扩散处理,得到硼扩后的目标硅片,包括:在第一温度下利用硼源对所述刻槽表面进行硼扩散处理,得到硼扩后的目标硅片;所述对所述硼扩后的目标硅片进行退火处理,得到退火后的目标硅片,包括:按照目标降温速率将所述硼扩后的目标硅片的温度从第一温度降低至第二温度,得到退火后的目标硅片;其中,所述第一温度为880℃至920℃,所述硼扩散处理的扩散时长为650s至750s,所述硼源的气体流量为550sccm至750sccm;所述第二温度为680℃至720℃,所述目标降温速率为7℃min至13℃min。
全文数据:
权利要求:
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