申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2022-01-20

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114460814B

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.05.31#实质审查的生效;2022.05.10#公开

摘要：本发明提供一种光刻设备、气浴装置及其气浴发生器，其中气浴发生器包括封闭环体，所述封闭环体围绕工作区域设置，且所述封闭环体的内部形成环形流道，所述封闭环体上还设置有与所述环形流道连通的周向分布的出气口，所述出气口产生围绕所述工作区域分布的封闭气流层。本发明提供的气浴发生器能够用于光刻设备，并沿周向围绕光刻设备曝光区域设置，在曝光区域的周边形成一圈与外界隔离的封闭气流层，解决了如何降低光刻设备内位于曝光区域的硅片微环境的气体污染和颗粒污染的问题。

主权项：1.一种气浴发生器，其特征在于，包括；封闭环体，所述封闭环体围绕工作区域设置，且所述封闭环体的内部形成环形流道，所述封闭环体上还设置有与所述环形流道连通的周向分布的出气口，所述出气口产生围绕所述工作区域分布的封闭气流层；其中，所述气浴发生器为圆环状，所述出气口设置于所述气浴发生器的顶部，所述气浴发生器的侧壁设置有与气源连通的至少一个进气口；不同位置的所述出气口的孔径和或开孔密度不同；靠近所述进气口的出气口的孔径比远离所述进气口的出气口的孔径小；靠近所述进气口的出气口的开孔密度比远离所述进气口的出气口的开孔密度小。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 光刻设备、气浴装置及其气浴发生器

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