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【发明授权】一种单侧氨基修饰的α-Anderson型多酸修饰ZnAgInS量子点制备方法_山东第一医科大学(山东省医学科学院)_202310016730.X 

申请/专利权人:山东第一医科大学(山东省医学科学院)

申请日:2023-01-06

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN116004225B

主分类号:C09K11/62

分类号:C09K11/62;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00

优先权:["20221104 CN 2022113779009"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权;2023.05.12#实质审查的生效;2023.04.25#公开

摘要:本申请公开了一种单侧氨基修饰的α‑Anderson型多酸修饰ZnAgInS量子点制备方法。本发明是将制备的ZnAgInS量子点与单侧氨基修饰的α‑Anderson多酸按照技术方案进行比例混合、干燥、分离收集得到。本发明是在水相中直接使用过量的三羟甲基甲烷衍生物作为络合剂,将产率提高到60%,通过控制反应体系pH范围控制4.5~5.5之间的方法,利用POMs团簇自身的缓冲效应,实现了高选择性合成单侧氨基修饰的α‑Anderson型多酸修饰团簇,另外,本发明操作简单方便,降低了多设备、高能耗、多人工的成本,产生光电流能力强,提高了光电性能,可重复回收利用,对环境友好。

主权项:1.一种单侧氨基修饰的α-Anderson型多酸修饰ZnAgInS量子点制备方法,其特征在于,将制备的ZnAgInS量子点与单侧氨基修饰的α-Anderson型多酸在溶剂中反应,加入空穴清除剂,分离干燥后得到单侧氨基修饰的α-Anderson型多酸修饰ZnAgInS量子点,其中,加入空穴清除剂后单侧氨基修饰的α-Anderson型多酸在ZnAgInS量子点表面生成一层有机修饰薄膜,所述空穴清除剂为乙醇。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 山东第一医科大学(山东省医学科学院) 一种单侧氨基修饰的α-Anderson型多酸修饰ZnAgInS量子点制备方法

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