申请/专利权人：重庆川仪自动化股份有限公司

申请日：2023-07-31

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN220711344U

主分类号：H02M1/36

分类号：H02M1/36;H02H7/12;H02J3/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权

摘要：本实用新型公开一种用于APF或SVG的直流侧软启动保护电路，包括滤波单元、IGBT功率单元，所述IGBT功率单元一端通过滤波单元连接三相电网，另一端设置串联的直流电压源单元和软启动单元，所述软启动单元包括限流电阻，所述限流电阻连接一继电器，所述继电器开关端的两引脚并联在限流电阻两端，所述继电器的线圈端连接一驱动电路，所述驱动电路包括三极管，所述三极管的发射极接地，所述三极管的集电极通过第一电阻连接电源正极，所述第一电阻两端并联继电器线圈端的两引脚，所述三极管的基极通过第二电阻连接控制信号端，所述控制信号端用于接收主控芯片的控制信号，解决APF或SVG的直流侧启动时瞬时电流过大的问题，有效降低直流侧瞬时电流。

主权项：1.一种用于APF或SVG的直流侧软启动保护电路，包括滤波单元、IGBT功率单元，所述IGBT功率单元一端通过滤波单元连接三相电网，另一端设置串联的直流电压源单元和软启动单元，其特征在于：所述软启动单元包括限流电阻（R4），所述限流电阻（R4）连接一继电器（KY1），所述继电器（KY1）开关端的两引脚并联在限流电阻（R4）两端，所述继电器（KY1）的线圈端连接一驱动电路，所述驱动电路包括三极管（Q1），所述三极管（Q1）的发射极接地，所述三极管（Q1）的集电极通过第一电阻（R5）连接电源正极（VCC），所述第一电阻（R5）两端并联继电器（KY1）线圈端的两引脚，所述三极管（Q1）的基极通过第二电阻（R6）连接控制信号端（KY_CTL），所述控制信号端（KY_CTL）用于接收主控芯片的控制信号。

全文数据：

权利要求：

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